美光预告 G11 NAND：超 400 层堆叠，双倍密度，2027H2 产能爬坡 - LOL首发阵容

IT之家 10 月 22 日消息，美光于当地时间昨日举办 2026 年度技术网络研讨会，对 DRAM、泛 HBM、NAND 及 SSD 的未来发展进行探讨，此部分聚焦于闪存类别。

美光在此次活动中预告了其计划于 2027 年下半年进入产能爬坡阶段的 G11 NAND 闪存，该公司似乎未推出 G10 世代产品。

G11 NAND 的堆叠层数超过 400 层，采用晶圆对晶圆键合技术，以面积计算的存储密度约为现有 276 层 G9 NAND 的两倍，同时 I/O 速率最高可提升 1.5 倍，数据传输能耗则降低超过 25%。

在 G11 之后，美光计划在 NAND 中引入具有突破性的高迁移率材料，以实现超密集的单元架构，并进一步强化节能特性。

美光介绍了两种面向 AI 类数据中心级 NAND 的设计，分别是以 SLC 为基础的 GPU 直连 IOPS 优化产品，以及类似 HBF 定义的带宽优化产品。

美光还展示了其全面的 AI 优化存储解决方案。